次世代记忆体新霸主尚难定论R-RAM或将取代PRAM和MRAM成主流

  • wigtqy.cn   来源:盼盼网   2020-05-29 03:16:14  
新世代的记忆体技术需要面临新材料、新技术、新制程的开发挑战,目前台面上争霸的技术包括PRAM(Phase Change RAM)、MRAM (Magnetic RAM)、R-RAM(Resistive Random-Access Memory)等架构,之前最广为讨论的是PRAM,但国家奈米元件实验室(NDL)博士何家骅则表示,R-RAM到了10奈米以下,会面临物理瓶颈,R-RAM成主流的机率较大,且9奈米电阻式记忆体正式研发后,更证明RRAM是可行之道。 何家骅表示,下世代记忆体面临的最大挑战之一是半导体材料,像是MRAM最被外界质疑的是材料难取得,R-RAM技术到了10奈米以下,会面临物理瓶颈,目前NDL以R-RAM为基础架构研发出9奈米电阻式记忆体,已在12月8日美国旧金山举行的国际会议IEDM中正式发表。目前投入ReRAM技术国际大厂除了除了NDL之外,还包括英特尔(Intel)、新帝(SanDisk)、三星电子(Samsung Electronics)、IBM等,目前NDL在ReRAM技术上的作法是采用氧化钨的材料,像三星是用氧化镍,也有业者用氧化铜等,目前各种材料的组合还再持续研发中。NDL表示,9奈米R-RAM阵列晶胞容量比目前的快闪记忆体增加约20倍,耗电量则降低约200倍,是以操控氧原子近距离移动的创新技术,改变元? 饇O忆资讯而完成,突破开发10 奈米以下记忆体的技术瓶颈,希望5~10年内进入量产。现有浮动闸(Floating Gate)技术从90奈米、65奈米、45奈米= 32奈米,到2011年要走到22奈米制程,但在20奈米以下的物理瓶颈,恐将打破现有NAND Flash技术的游戏规则,这次NDL成功以R-RAM技术架构开发9奈米的产品,来要再观察业界趋势是如何发展。再者,NDL有意成立「16-8奈米元件联盟」建立快闪记忆体技术和专利平台,并广邀记忆体厂和晶圆代工厂加入,效应未来值得观察,NDL表示,台湾DRAM业者每年要付给国际大厂约300亿元的权利金,20奈米制程以上的技术也都被国际大厂把持,随著NAND Flash技术瓶颈在20奈米制程以下浮现,也给台湾发展的空间和机会。目前记忆体厂方面,DRAM厂加入意愿还要再观察,若是以付权利金的方式,目前大部分的DRAM厂都资金压力庞大,是否会愿意投入战局,还是疑问;而旺宏在下世代快闪记忆体技术耕耘颇深,且手上也有很多专利,是否会与「16-8奈米元件联盟」合作,值得进一步注意。